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물리전자 및 반도체공학 통합과정

서순주 교수님 위스콘신대학교-매디슨 재료공학과 박사졸업

  • 수강료: 240,000
  • 강의 수: 82강
  • 배수: 3배수
  • 수강기간: 150일
  • 과정: 개념완성
  • 맛보기:
강의 신청하기   총 합계금액 : 240,000
* 모바일 강좌는 안드로이드, IOS 운영체제의 스마트폰과 태블릿 PC에서 수강하실 수 있습니다.
* 모바일 강좌는 PC강좌의 30%금액이며, 단독수강은 불가합니다.
* 수강신청 시 [MY캠퍼스]-[수강중인강의] 에서 PDF 강의교재를 열람/다운하실 수 있습니다.
* PC, 모바일 강좌 모두 3배수 수강 가능합니다.
강좌소개
- 전체 개념을 놓치는 부분없이 꼼꼼하게 학습할 수 있는 강좌
- 대학 교과과정 중심의 Chapter별 상세개념정리와 명쾌한 예제문제풀이 강좌
교육대상
- 공과대학(전기전자과, 재료과학과) 학부생
- 관련 자격증 준비중인 수험생
- 물리전자, 반도체공학을 필요로 하는 모든 수강생
교재정보 및 참고문헌
강의교재: 유니와이즈 자체 교수진 연구교재(pdf파일로 제공)
* 아래의 교재를 바탕으로 학습하고자 하는 회원님들은 이 강의를 선택하시면 됩니다. (참고문헌)
- 고체전자공학. 최신 개정판.(벤 스트리트만 저. 곽계달 역. 피어슨에듀케이션 코리아)
- 반도체소자공학.(Pierret 저. 교보문고)
- Physics of Semiconductor Devices.(Simon M., Sze 저. John Wiley & Sons)
- Fundamentals of Semiconductor Devices.(Betty L., Anderson and Richard L., Anderson 저. McGrawHill)

커리큘럼

커리큘럼
제목 강의시간 상세내용
1장. Crystal Structure (결정 구조)
[1강] 반도체 물질. 결정 격자. 7가지 시스템과 14가지 격자
0 : 36 : 34
원소 반도체, 주기적 구조, 7가지 결정 시스템과 브라베 격자, 입방 격자
[2강] 격자 평면과 방향. 반도체 구조
1 : 01 : 27
면과 방향의 표시, 등가 면과 등가 방향, 다이아몬드 격자 구조, 섬아연광 구조, 섬유아연석 구조
2장. Atomic Structure (원자 구조)
[3강] 물리학적 모형의 소개. 보어의 모형
0 : 50 : 27
물리적 모델의 종류, 실험적 관측, 보어 모델
[4강] 파동과 입자의 이중성 (1)
0 : 28 : 19
파동 함수에 대한 표현
[5강] 파동과 입자의 이중성 (2)
0 : 41 : 05
쉬뢰딩거 파동 방정식, 플랑크 아인스타인 관계식
[6강] 파동과 입자의 이중성 (3)
0 : 23 : 25
쉬뢰딩거 방정식
[7강] 파동과 입자의 이중성 (4)
1 : 04 : 21
양자학적 가설(고유 값, 고유 함수, 고유 값 방정식, 시간에 무관한 쉬뢰딩거 방정식, 복소수 공액, 확률밀도함수, 정규화 조건)
[8강] 파동과 입자의 이중성 (5)
0 : 47 : 23
양자학적 가설
[9강] 파동과 입자의 이중성 (6)
0 : 32 : 48
양자학적 가설
[10강] 파동과 입자의 이중성 (7)
0 : 31 : 02
전위 우물 문제(일차원 상자), 양자화, 양자수, 바닥 상태
[11강] 원자 구조
0 : 27 : 44
원자 구조
3장. Energy Bands and Charge Carriers in Semiconductors (에너지 대역과 반도체에서의 전하 캐리어)
[12강] 반도체 모형. 반도체의 전하 캐리어
0 : 49 : 07
양자화, 결합모델, 에너지 대역 모델, 전자와 정공, 물질의 구분
[13강] 캐리어 성질
0 : 39 : 33
유효 질량, 진성 반도체의 캐리어 수, 도핑
[14강] 평형상태에서의 페르미 준위
0 : 31 : 21
에너지 상태 밀도, 페르미 함수, 평형 상태에서의 캐리어 분포
[15강] 평형에서의 캐리어 농도 (1)
0 : 39 : 59
전자와 정공에 대한 표현
[16강] 평형에서의 캐리어 농도 (2)
0 : 32 : 02
전하의 중성 관계, 캐리어 농도 계산, 캐리어의 온도 의존성
[17강] 평형에서의 캐리어 농도 (3)
1 : 00 : 17
페르미 준위의 위치 결정
4장. Carrier Action (캐리어 작용)
[18강] 표동
0 : 51 : 40
표동 전류, 이동도, 저항률
[19강] 확산
0 : 24 : 16
확산 전류, 아인슈타인 관계식
[20강] 재결합: 생성
0 : 48 : 23
재결합(밴드 간 재결합, R-G center 재결합, 오제 재결합), 생성(밴드 간 생성, R-G center 생성, 충돌에 의한 캐리어 생성, 에너지와 운동량의 보존(직접적 반도체, 간접적 반도체)
[21강] 광학적 흡수. 발광
1 : 03 : 19
광학적 흡수, 광발광(형광, 인광), 전계 발광(주입형 전계 발광, 데스트리오 효과)
[22강] 상태 방정식
0 : 37 : 43
연속 방정식, 소수 캐리어 확산 방정식
5장. p-n Junction Electrostatics (p-n 접합 정전기학)
[23강] p-n 접합 형성 (1)
0 : 51 : 47
p-n 접합의 정의, 이상적인 도핑 프로파일(계단형 접합, 선형적으로 변화하는/경사진 접합), 쁘아송 방정식, p-n 접합에서 정전기적 변수
[24강] p-n 접합 형성 (2)
0 : 35 : 53
p-n 접합에서 정전기적 변수, 내부 전위차
[25강] p-n 접합 형성 (3)
0 : 36 : 57
내부 전위차, 공핍 근사
[26강] 정전기적 변수의 해 (1)
0 : 48 : 17
계단형 접합(외부 전압=0)
[27강] 정전기적 변수의 해 (2)
0 : 46 : 37
계단형 접합(외부 전압≠0)
[28강] 정전기적 변수의 해 (3)
0 : 48 : 39
선형적으로 변화하는 접합
[29강] 이상적 다이오드 방정식
0 : 51 : 30
정성적 유도(평형 상태의 경우, 순방향의 경우, 역방향의 경우)
6장. p-n Junction Diode (p-n 접합 다이오드)
[30강] I-V 특성 (1)
0 : 49 : 12
정량적 해 (공핍 영역 외부에서의 전류 밀도)
[31강] I-V 특성 (2)
0 : 49 : 57
공핍 영역 내에서 전류 밀도, 경계조건(양쪽 전극에서의 경계조건, 공핍 영역 경계면에서의 경계 조건)
[32강] I-V 특성 (3)
0 : 51 : 32
소수 캐리어 방정식의 해
[33강] I-V 특성 (4)
1 : 07 : 11
이상적인I-V, 포화 전류, 캐리어 전류, 캐리어 농도
[34강] 역방향 항복 (1)
0 : 53 : 31
역방향 바이어스 항복, 제너 항복, 애벌런치 항복
[35강] 역방향 항복 (2)
0 : 30 : 25
항복 다이오드, 정류기
[36강] 단순한 이론으로부터의 이탈
1 : 00 : 12
캐리어 주입에 대한 접촉 전위차 효과, 옴 효과, 공핍 영역에서의 재결합과 생성
[37강] 과도 및 교류상태 (1)
0 : 40 : 45
축적된 전하
[38강] 과도 및 교류상태 (2)
0 : 40 : 44
pn 접합 정전 용량
[39강] 과도 및 교류상태 (3)
0 : 40 : 43
역방향 회복 과도 현상, 스위칭 다이오드
7장. Bipolar Junction Transistors (쌍극성 접합 트랜지스터)
[40강] BJT 동작의 기초. 공정
0 : 30 : 54
용어(Terminology), 공정(Fabrication)
[41강] 정전기학
0 : 53 : 10
정전기학
[42강] 기본 동작 원리 고찰. 동작 매개변수
0 : 49 : 55
기본동작원리 고찰, 에미터 효율, 베이스 전송률, 베이스 공통 직류 전류 이득, 에미터 공통 직류 전류 이득
[43강] 이상적인 트랜지스터 분석 (1)
0 : 43 : 10
기본 가정, 일반해(에미터 영역의 해, 콜렉터 영역의 해)
[44강] 이상적인 트랜지스터 분석 (2)
0 : 45 : 57
일반해(베이스 영역의 해, 동작 매개 변수/단자 전류)
[45강] 이상적인 트랜지스터 분석 (3)
0 : 44 : 03
단순화 된 관계식, Ebers-Moll 방정식과 모델
8장. Metal-Semiconductor Contacts and Schottky Diodes (금속-반도체 전극과 샤키 다이오드)
[46강] 이상적 금속-반도체 전극 (1)
0 : 43 : 56
MS 전극의 성질, Vacuum level, 일함수, 전자 친화력
[47강] 이상적 금속-반도체 전극 (2)
0 : 29 : 41
바이어스가 걸린 경우의 MS 구조, 정류 전극, MS 다이오드, 비정류 전극, 옴 전극, 이상적 MS 전극의 전기적 성질
[48강] 샤키 다이오드 (1)
0 : 44 : 53
정전기학, 접촉 전위차 혹은 내부 전위차, 공핍 영역의 길이
[49강] 샤키 다이오드 (2)
0 : 37 : 34
I-V 특성, 열전자 방출 전류
[50강] 샤키 다이오드 (3)
0 : 46 : 18
I-V 특성: 정량적 표현, 리챠드슨 상수
[51강] 샤키 다이오드 (4)
0 : 27 : 49
실험적 I-V 특성, 샤키 장벽 강하, 샤키 다이오드 클램프
[52강] 실제 전극에 대한 고려
0 : 39 : 11
정류 전극 혹은 MS contacts, 옴 전극, Field emission, 옴 전극의 안정성
9장. Field-effect Transistors (전계효과 트랜지스터)
[53강] 접합 트랜지스터. 금속-반도체 전계 트랜지스터
0 : 57 : 03
전계 효과, J-FET, 샤클리 구조, J-FET 동작: 정성적 이론, channel narrowing effect, 핀치-오프, 포화 드레인 전압, 포화 드레인 전류, 핀치-오프 게이트 전압, 금속-반도체 전계 효과 트랜지스터
[54강] MOS의 기초 (1)
0 : 44 : 14
MOS, 이상적 구조
[55강] MOS의 기초 (2)
0 : 40 : 38
에너지 밴드 다이어그램, 블락 전하 다이어그램, 외부에서 가해진 바이어스의 효과, 다양한 조건에 따른 에너지 밴드 다이어그램
[56강] MOS의 기초 (3)
0 : 45 : 17
폴리 실리콘 게이트를 가진 MOS-C
[57강] MOS의 기초 (4)
0 : 37 : 36
정전기학: 정량적 표현
[58강] MOS의 기초 (5)
0 : 50 : 59
MOS-C에서의 정전기적 변수(정규화된 정전위, 진성 디바이 거리, 정확한 해)
[59강] MOS의 기초 (6)
0 : 47 : 54
델타-공핍 해, 축적, 공핍 중간, 반전의 시작, 강한 반전
[60강] MOS의 기초 (7)
0 : 59 : 19
게이트 전압과 반도체 표면 전위와의 관계
[61강] 정전용량-전압 특성 (1)
0 : 15 : 47
정전용량-전압 특성의 정의
[62강] 정전용량-전압 특성 (2)
0 : 36 : 56
정성적 이론, AC와 DC 신호에 따른 MOS-C 의 정전 용량(축적)
[63강] 정전용량-전압 특성 (3)
0 : 39 : 51
AC와 DC 신호에 따른 MOS-C 의 정전 용량(공핍, 반전)
[64강] 정전용량-전압 특성 (4)
0 : 44 : 01
델타-공핍 공식, 실제 측정값과 유사한 모델, 정확한 전하 분포 이론, 여러 도핑 농도에 따른 C-V 특성, 여러 산화물층 두께에 따른 C-V 특성, 여러 온도에 따른 C-V 특성
10장. MOSFETs (MOS 전계효과 트랜지스터)
[65강] 기본동작: 정성적 이론
1 : 08 : 58
MOSFET 구조, MOSFET의 응답, 핀치-오프
[66강] 전류-전압 관계: 정량적 분석 (1)
0 : 43 : 28
문턱 전압, 유효 이동도, 유효 이동도와 게이트 전압과의 관계
[67강] 전류-전압 관계: 정량적 분석 (2)
0 : 56 : 11
제곱 법칙 이론, 벌크-전하 이론
[68강] 부하선
0 : 46 : 12
3단자 소자 (Three-terminal device)에서의 비선형 I-V 특성, 트랜지스터의 회로 기능
[69강] AC 응답
0 : 40 : 36
작은 신호 등가 회로, 차단 주파수
[70강] 전달 특성. 이동도 모델 (1)
0 : 46 : 04
출력 특성, 전달 특성, 보편적인 이동도 열화 곡선, 이동도 열화 매개변수
[71강] 이동도 모델 (2). 문턱 전압의 제어
0 : 59 : 40
단채널 MOSFET I-V 특성, 게이트 전극의 선택, C_0의 제어, 이온 주입에 의한 문턱 전압 조정
[72강] 금속-반도체 일함수 차이
0 : 33 : 37
금속-반도체 일함수 차이, Effect of nonideality
[73강] 산화물 전하
0 : 41 : 31
산화물 전하, 산화물층 전하로 인한 효과
[74강] 유동성 이온
0 : 50 : 28
C-V 측성 곡선의 쉬프트, 불안정성, 알칼리 이온에 의한 오염도 줄이기, 유동성 이온: 총이온 전하량
[75강] 고정 전하
0 : 25 : 24
고정 전하, 고정 전하 Q_F 의 특성, 고정 전하의 물리적 기원
[76강] 계면 트랩
0 : 36 : 10
계면 트랩, n-bulk MOS-C 반전, n-bulk MOS-C 공핍, n-bulk MOS-C 축적
[77강] 채널길이 변조변화
0 : 24 : 06
채널길이 변조변화
[78강] 단채널 효과
1 : 06 : 36
V_T roll off, Drain-induced barrier lowering (DIBL) and punch through, Velocity Saturation, Hot electrons
11장. Photo Detectors (광검출기)
[79강] 광다이오드 (1)
0 : 51 : 36
광전자 공학, 광다이오드, 전류-전압 특성
[80강] 광다이오드 (2)
1 : 02 : 43
태양 전지, 채움인수, 유기 태양 전지, 태양 전지의 양자 효율, 검출기, 공핍 영역의 폭 W를 결정하는 요소, 공핍 영역 폭 W의 제어, 애벌런치 광다이오드, 검출기 물질
[81강] 발광 다이오드
0 : 47 : 06
주입형 전계 발광, LED 물질, 유기 발광 다이오드
12장. Integrated Circuits (집적 회로)
[82강] 집적 회로
1 : 02 : 52
집적 회로의 종류, 집적 회로의 변천, CMOS 집적 공정
정오표
[83강] 강의 정오표
0 : 00 : 00
교재만 있습니다.
유니와이즈 고객행복센터 1899-7454
학점은행제 고객행복센터 02-2149-0803~4
상담시간: 10:00~17:30
점심시간: 13:00~14:00
토요일,일요일,공휴일 휴무
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